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Li2B4O7单晶生长
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  • 出版年：1990
  • 作者：胡少勤；汪红兵
  • 单位1：机械电子工业部第26研究所
  • 语种：中文
  • 作者关键词：四硼酸锂晶体；提拉法生长；生长条件
  • 起始页：288
  • 总页数：4
  • 刊名：人工晶体学报
  • 是否内版：是
  • 主办单位：中国硅酸盐学会；晶体生长与材料专业委员会；人工晶体研究所
  • 卷：19
  • 期：4
  • 期刊索取号：P311.06105
摘要
通过对单晶生长特性与缺陷观测分析，研究了用提拉法生长优质Li284O7单晶的工艺条件，并成功生长φ32±1mmLi2B4O7单晶。

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