锗／多孔硅和锗／氧化硅薄膜光致发光的比较研究

详细信息   全文下载|推荐本文 |

• 出版年：2008
• 作者：孙小菁；马书懿；魏晋军；徐小丽
• 单位1：西北师范大学物理与电子工程学院
• 出生年：1982
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：锗／多孔硅；锗／氧化硅；光致发光；红外吸收
• 起始页：2033
• 总页数：5
• 经费资助：国家自然科学基金项目(60276015)，教育部科学技术研究项目(204139)，甘肃省高分子材料重点实验室开放基金项目(KF-05-03)和甘肃省自然科学基金项目(0710RJZA105)资助
• 刊名：光谱学会光谱分析
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1981
• 主管单位：中国科学技术协会
• 主办单位：中国光学学会
• 主编：黄本立
• 地址：北京市海淀区魏公村学院南路76号
• 邮编：100081
• 电子信箱：chngpxygpfx@vip.sina.com
• 网址：http://www.gpxygpfx.com
• 卷：28
• 期：9
• 期刊索取号：P342.06220
• 核心期刊：物理类、化学类核心期刊

摘要

采用磁控溅射技术，以锗为溅射靶，在多孔硅上沉积锗薄膜，沉积时间分别为4，8和12min，及以锗一二氧化硅复合靶为溅射靶，在n型硅衬底上沉积了含纳米锗颗粒的氧化硅薄膜，锗与总靶的面积比分别为5%，15%，30%。各样品在氮气氛中分别经过300，600及900℃退火30min。对锗／多孔硅和锗／氧化硅薄膜进行了光致发光谱的对比研究，用红外吸收谱分析了锗／多孔硅的薄膜结构。实验结果显示，锗／多孔硅薄膜的发光峰位于517nm附近，沉积时间对发光峰的强度有显著影响，锗层越厚峰强越弱。锗／氧化硅薄膜的发光峰位于580nm附近，锗与总靶的面积比对发光峰的强度影响较大，锗／氧化硅薄膜中的锗含量越高峰强越弱。不同的退火温度对样品的发光峰强及峰位均没有明显影响。可以认为锗／多孔硅的发光峰是由多孔硅与孔间隙中的锗纳米晶粒两者界面的锗相关缺陷引起的，而锗／氧化硅的发光峰来自于二氧化硅的发光中心。